滅弧室進(jìn)化史
真空滅弧室是真空斷路器的關(guān)鍵部件,可以說是真空滅弧室的不斷發(fā)展,才提高了真空斷路器的技術(shù)水平。從真空滅弧室在我國發(fā)展以來,總共有五個(gè)版本。
第一代、CuBi系合金觸頭,φ145 mm玻璃外殼,阿基米德螺旋槽橫磁電極結(jié)構(gòu),額定電壓12 kV,額定電流1 250 A,額定短路開斷電流20 kA。
第二代、引進(jìn)西門子的3AF系列真空滅弧室。CuCr50合金杯狀觸頭,陶瓷外殼,杯狀橫磁電極結(jié)構(gòu),額定電流2 500~3 150 A,額定短路開斷電流31.5~40 kA。
第三代、自行開發(fā)的真空滅弧室。CuCr50觸頭材料,屏蔽罩內(nèi)置,φ88~125 mm陶瓷絕緣外殼,杯狀縱磁電極結(jié)構(gòu)。額定電流3 150 A,額定短路開斷電流40 kA。
第四代、真空滅弧室。以一次封排技術(shù)為代表,整體質(zhì)量有了很大提高,開發(fā)出12 kV、24 kV和40.5 kV各種真空滅弧室。真空滅弧室工藝從排氣臺(tái)式工藝發(fā)展到一次封排工藝以至完全一次封排工藝,工藝過程變得簡單,不僅提高了數(shù)量而且提高了質(zhì)量。
第五代、固封極柱真空滅弧室。將真空滅弧室通過自動(dòng)壓力凝膠工藝包封在環(huán)氧樹脂殼體內(nèi),形成固封極柱,避免了外力和外界環(huán)境對(duì)真空滅弧室及其他導(dǎo)電件的影響,增強(qiáng)了外絕緣強(qiáng)度,大大減少了裝配工作量,并使之真空斷路器小型化。真空滅弧室的外絕緣經(jīng)歷了空氣絕緣→復(fù)合絕緣→固封絕緣。
由以上可見,真空滅弧室技術(shù)的進(jìn)步反映在觸頭的材質(zhì)上、縱橫磁場(chǎng)的形成上、制造工藝的改進(jìn)上以及外絕緣的改變上。